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提问人：网友marcozy
发布时间：2022-01-07
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若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）
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A.hfhf＞Eg
B.hf=Eg
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一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处(Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系，并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。
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