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提问人：网友grantliping
发布时间：2022-01-06
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半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
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第4题
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硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？
第5题
禁带宽度的大小决定着（)的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子
禁带宽度的大小决定着()的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
第6题
一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处（Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在
一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处(Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系，并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。
第7题
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导
体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。
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A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
第9题
光电导效应是光照射半导体材料时，（）
A、材料吸收光子而产生电子-空穴对，使导电性能加强，电导率增加。
B、导带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由导带越过禁带跃入价带，从而使电导率变大。
C、价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，从而使电导率变大，电阻率减少。
D、无
第10题
由一块本征半导体锗，测得如下数据： T（K) 333 385 455 566 714 σ（1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400 求
由一块本征半导体锗，测得如下数据：
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关，空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
