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提问人:网友shenglishen 发布时间:2022-01-07
[单选题]

工作中JFET源极电流等于漏极电流,这一电流()。

A.穿过一个PN结

B.穿过一对反偏的 PN结

C.穿过一对背靠背的PN结

D.不穿过任何PN结

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第1题
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第3题
工作于饱和区的MOS晶体管,漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。
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第4题
单结晶体管三个电极分别是:()。

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第5题
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A、P沟道结型管

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F、增强型NMOS管

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第6题
引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是( )和漏区静电场对沟道的反馈作用。
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第7题
功率场效应晶体管的输出特性表示在栅源电压VCS为一定值时,()之间的关系。
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B.源极电流与漏极电压

C.漏极电流与漏源极电压

D.源极电流与漏源极电压

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第8题
一个MOSFET的转移特性如图所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问: (1)该管是耗尽型还是增强型? (2)是N沟道还是P沟道FET? (3)从这个转移特性上,可求出该FET具有夹断电压VP还是开启电压VT?其值等于多少?
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第9题
下面关于JFET描述正确的是 。

A、vGS=0,则沟道中无法流过电流

B、P沟道JFET工作时,应满足栅源电压vGS<0

C、JFET的沟道电流,主要受到栅源电压vGS的影响

D、N沟道JFET工作时,应满足栅源电压vGS<0

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