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提问人：网友wenzhankun 发布时间：2022-01-07
[单选题]

以下关于MOS管的说法正确的是

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

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1天前
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更多“以下关于MOS管的说法正确的是”相关的问题
第1题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大

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第2题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。
A、NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B、当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C、当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D、管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

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第3题
当ENODEB和M2000之间的操作维护通道没有建立时，可以用LMT近端登陆ENODEB。
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第4题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是()。
A、此时满足条件

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为

D、沟道夹断区为耗尽区

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第5题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。
A、VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B、VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C、VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D、VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第6题
以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。
A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

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第7题
直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。
A、MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B、MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C、过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高

D、栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高

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第8题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。
A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

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第9题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第10题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是()。
A、如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低

B、理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件沟道长度成正比

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