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提问人：网友webluomu 发布时间：2022-01-07
[单选题]

理想理想结构必须满足的条件有（）结构必须满足的条件有（）

A.金属与半导体的功函数差为零

B.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电

C.绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态

D.半导体必须为本征半导体

E.绝缘层材料为二氧化硅

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1天前
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1天前
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1天前
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更多“理想[图]结构必须满足的条件有（）A、金属与半导体的功...”相关的问题
第1题
在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?()
A、金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B、金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C、金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D、金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

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第2题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?()
A、多子积累

B、多子耗尽

C、平坦能带

D、本征状态

E、少子反型

F、少子积累

G、少子耗尽

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第3题
1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么
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第4题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第5题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。
A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

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第6题
真空中有两个平行的无限大均匀带正电平面，电荷面密度分别为和。如图所示，两平面之间的Ａ、Ｂ两点的电势分别为、，则 　　　　　　

A、

B、

C、

D、无法比较和的高低。

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第7题
直径为多少的眶内铁质异物平片可显示（）

A. 1mm以上

B. 0.5mm以上

C. 0.8mm以上

D. 1.2mm以上

E. 0.3mm以上

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第8题
对于实际的MIS结构,哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线,使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移?()
A、金属和半导体之间存在功函数差

B、绝缘层中存在电荷

C、半导体与绝缘层的界面处存在表面态

D、外加偏压

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第9题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?()
A、平坦能带状态

B、少子反型状态

C、深耗尽状态

D、本征状态

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第10题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?()
A、多子积累

B、少子积累

C、多子耗尽

D、少子反型

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