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直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
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A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
B、MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C、过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D、栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
B、理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C、最高振荡频率与器件跨导成正比
D、最高振荡频率与器件沟道长度成正比
A. 在开机状态下严禁震动,搬移投影机
B. 课堂上使用时不要反复开关机
C. 停止使用后马上断开电源以节约使用寿命
D. 注意使用环境的防尘和通风散热,经常或定期清洗进风口处的滤尘网
B、晶格散射导致的载流子迁移率退化
C、小尺寸器件中的纵向电场
D、栅漏电容的米勒效应
B、转子的第一临界转速越低,发生油膜振荡的可能性越大
C、只在转速高于第一临界转速的2倍时才能发生
D、提高转速能避开共振
A、NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器
B、当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD
C、当NMOS管导通时,输出电压VD下降
D、管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用
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