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提问人：网友allen1707
发布时间：2022-01-07
[主观题]
工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS与栅源电压VGS成线性关系。
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第4题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.预夹断临界点
B.饱和区（恒流区、放大工作区）
C.可变电阻区
D.截止区
第5题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
第6题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
A.饱和区（恒流区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
第7题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
A.恒流区（饱和区、放大工作区）
B.可变电阻区
C.预夹断临界点
D.截止区
