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提问人:网友lqlq2018 发布时间:2022-01-06
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霍尔传感器一般采用半导体材料制成,而不选用绝缘体或金属导体材料,主要是因为绝缘体和金属导

体在磁场中不能产生霍尔效应。()

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第1题
霍尔传感器一般采用半导体材料而不采用金属导体材料,是因为金属导体不存在霍尔效应。()

霍尔传感器一般采用半导体材料而不采用金属导体材料,是因为金属导体不存在霍尔效应。()

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第2题
霍尔传感器一般采用()为霍尔元件, 原因是其电阻率和载流子的迁移率比较大。

A.金属材料

B.绝缘材料

C.半导体材料

D.陶瓷材料

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第3题
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。

A.光子效应

B.霍尔效应

C.热电效应

D.压电效应

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第4题
关于霍尔器件说法,以下说法正确的是()。

A.由于导体的载流子浓度较高、电导率大,所以霍尔器件一般由导体材料制成。

B.霍尔器件一般由P型半导体材料制成。

C.由于不良导体电阻率高,所以霍尔器件一般由绝缘材料制成。

D.霍尔器件一般由N型半导体材料制成。

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第5题
霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成,因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温
度而变化,致使()变化,产生温度误差。

A.输出电流

B.输出电压

C.霍尔电势

D.霍尔电位

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第6题
选择题:(每题10 分,总分100分,单选多选少选不给分) 1....

选择题:(每题10 分,总分100分,单选多选少选不给分) 1. 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为 。 A.压电效应 B.涡流效应 C.霍尔效应 D. 应变效应 2. 只有 适于作霍尔元件,其电阻率和载流子的迁移率都比较大。 A.金属材料 B. 半导体材料 C. 绝缘材料 D. 高分子才熬 3. 目前常用的半导体材料有硅、锗、锑化铟和砷化铟等,这些材料不但有较大霍尔系数RH ,而且有较好的线性度,其中 的RH较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。 A. N型锗 B. N型硅 C. 锑化铟 D. 砷化铟 4. 使霍尔传感器处于非均匀磁场中,其输出正比于磁感应强度,因此,对凡是能转换为 变化的量都能进行测量,如位移、角度、转速和加速度等。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 5. 霍尔传感器输出值正比于 ,它可以用于乘法、功率等方面的计算与测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 6. 磁场特性不变,传感器输出值正比于 ,凡能转换为电流变化的量,均能进行测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 7.当霍尔元件的控制电流为IN时,若元件所处位置磁感应强度为零,则它的霍尔电势应该为零,但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为() 电势。 A.寄生直流电势 B.寄生感应电势 C.霍尔电势 D.不等位电势 8. 霍尔传感器中由于不等位电势由不等位电阻产生,因而可以采用()进行补偿。 A. 电阻值较大的桥臂上并联电阻 B. 在两相邻桥臂上串联电阻,以增加电极等效电桥的对称性。 C. 电阻值较大的桥臂上串联电阻 D. 在两相邻桥臂上并联电阻,以增加电极等效电桥的对称性。 9 .霍尔传感器温度误差的补偿措施有() A. 选择温度系数小的霍尔元件 B. 采取恒温措施 C. 采用恒流源供电 D. 电路中用一个分流电阻rT与霍尔元件的控制电极相串联 10. 由于霍尔传感器具有体积小、成本低、灵敏度高、性能可靠、频率响应宽、动态范围大的特点,并可采用集成电路工艺,因此被广泛用于、、、振动等方面的测量。() A. 电磁测量 B压力 C. 成份和浓度 D. 加速度

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第7题
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。()
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第8题
霍尔元件一般采用()半导体材料

A.本征

B.P型

C.N型

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第9题
电阻应变片传感器是利用金属和半导体材料的而制成的。[ 难度等级C

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第10题
在一个半导体薄片相对的两侧通以控制电流,在薄片垂直方向加以磁场,则在半导体另外两侧会产生一电动势,其大小与控制电流和磁场的乘积成正比。利用这种原理制成的检测装置叫做()。

A.干簧管传感器

B. 电位器传感器

C. 光电传感器

D. 霍尔传感器

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