影响光电导型红外热探测器激发率的相关因素包括
A.半导体材料的吸收系数
B.半导体材料表面的反射率
C.入射到半导体材料中的红外辐射光子的波长
D.半导体材料的量子效率
E.构成红外探测器的半导体材料的厚度
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A.半导体材料的吸收系数
B.半导体材料表面的反射率
C.入射到半导体材料中的红外辐射光子的波长
D.半导体材料的量子效率
E.构成红外探测器的半导体材料的厚度
A.光电效应
B.光电导现象
C.热电效应
D.光生伏特现象
A.基于本征半导体光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器
B.基于非本征半导体光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器
C.基于光子牵引效应激发受激光电子使其迁移率变化工作的红外探测器
D.基于肖特基势垒的多子跃迁过程工作的红外探测器
E.基于霍尔效应分离光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器
A.由单一材料制成的二维红外探测器阵列
B.由金属与半导体材料接触制成的二维红外探测器阵列
C.由光敏半导体材料制成二维光敏元阵列,由硅材料制成读出处理电路,通过倒装互连方式组合集成为一个整体的二维红外探测器阵列
D.由本征硅半导体材料按照CCD或CMOS结构制成的二维探测器阵列
A.在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
B.在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
C.在红外辐射入射下,探测器材料接收外界光子能量受热升温,进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
A.在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
B.在光辐射的照射下,半导体内因吸收光子产生电子空穴对,且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
C.在红外辐射入射下,探测器材料接收外界光子能量受热升温,进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
吸收剂量测量通常使用的方法是
A、空气剂量计、半导体剂量计、胶片剂量计、荧光板
B、热释光剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计、光电倍增管
C、电离室型剂量仪、半导体剂量计、热释光剂量仪、胶片剂量计
D、非晶硅探测器、电离室型剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计
E、荧光板、半导体剂量计、胶片剂量计、热释光剂量仪
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