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提问人：网友15***304
发布时间：2022-01-06
[主观题]
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大（)
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导增大()
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A.增大
B.不变
C.减小
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从2mA变为4mA时，它的低频跨导
将
第3题
1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体
1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小
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从2mA增加到4mA时，它的低频跨导
将 。
第6题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
A.增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V
B.耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V
C.增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V
D.耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V
第7题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
A.耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V
B.P沟JFET管，夹断电压VP为2V
C.N沟JFET管，夹断电压VP为2V
D.增强型NMOS管，开启电压为2V
