题目内容
（请给出正确答案）
A.二极管的势垒电容是指PN结反偏时，杂质正负离子区域形成的电容效应
B.二极管的扩散电容是指PN结正偏时，非平衡少子在P区和N区形成的电容效应
C.二极管在低频区工作时，可以忽略它的电容效应
D.二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
参考答案
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
网友提供的答案
更多“下面错误的说法是（）。”相关的问题
B.全国重点文物保护单位不得拆除;需要迁移的，须由省、自治区、直辖市人民政府报国务院批准
C.在文物保护单位的建设控制地带内进行建设工程,不得破坏文物保护单位的历史风貌;工程设计方案应当根据文物保护单位的级别，经相应的文物行政部门同意后，可进行建设
D.在全国重点文物保护单位的保护范围内进行其他建设工程或者爆破、钻探、挖掘等作业的，必须经省、自治区、直辖市人民政府批准，在批准前应当征得国务院文物行政部门同意
B.Java语言具有可移植性，是与平台无关的编程语言
C.Java语言编写的程序可以无需其运行环境便“一次编译，到处运行”
D.Java语言可对内存垃圾自动收集。
A、激发和复合是两个相反的物理过程
B、杂质半导体中有两种不同的激发形式，即本征激发和掺杂激发，其中掺杂激发是主要的激发形式
C、杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
D、N型半导体中杂质正离子是因为失去一个多余的电子而形成的
A、一般把PN结的结电容视为二极管的极间电容
B、硅二极管的反向电流小于锗二极管的反向电流
C、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压
D、二极管具有单向导电性，因此希望反向电流越小越好
A、在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体
B、由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过
C、PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D、因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
