题目内容
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提问人:网友17***580
发布时间:2022-07-06
[主观题]
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。
A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
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A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
A.IGBT开关速度高于电力MOSFET
B.IGBT是电压驱动型器件
C.电力MOSFET存在二次击穿问题
D.IGBT具有擎住效应
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
D.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
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