题目内容
（请给出正确答案）
A.沟道长度调制效应
B.漏电场静电反馈效应
C.漏感应势垒降低
D.亚表面穿通效应
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A.沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加
B.沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C.由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小
D.沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
A、沟道长度调变效应指的是
增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加
B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
A、
增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
A.基区宽度调变效应
B.漏区静电场对沟道的反馈
C.有效沟道调制效应
D.阈电压的短沟道效应
A.VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B.MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C.在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D.其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
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