下列不会加重漏致势垒降低效应的是()
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
- · 有4位网友选择 C,占比40%
- · 有3位网友选择 D,占比30%
- · 有2位网友选择 B,占比20%
- · 有1位网友选择 A,占比10%
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接,其参数如下:Tox=10nm,衬底掺杂浓度为,氧化层电荷面密度为,金属栅和衬底的功函数差为-0.3V,空穴迁移率为,电子迁移率为(1)该MOSFET的衬底费米势为多少? (2)该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少? (3)写出该MOSFET的阈值电压公式,并计算阈值电压?
A.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越大
B.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越小
C.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越大
D.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越小
A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏
B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质
C.漏极电流增大而形成雪崩击穿
D.发射出光子,形成光发射电流
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!