与液相外延法相比，气相沉积法更适合制备纳米厚度的单晶薄膜。

A.液相外延（LPE）法

B.化学气相沉积（CVD）法

C.等离子增强化学气相沉积（PECVD）法

D.低压化学气相沉积（LPCVD）

A.热辅助化学气相沉积法

B.液相外延法

C.近空间气相输运法

D.离子辅助沉积法

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.液相外延（LPE）

D.湿化学方法 （WCM）

A.电沉积

B.磁控溅射

C.真空蒸发

D.液相外延

在液相基底表面沉积薄膜和制备介观纳米元器件的实验装置十分复杂!()

A.热辅助化学气相沉积（TA-CVD）

B.液相外延(LPE)

C.近空间气相输运(CSVT)

D.和离子辅助沉积（IAD）

A.液相外延技术

B.金属有机化学气相沉积技术

C.分子束外延技术

D.以上都是

A.多元共蒸发法

B.金属预置层后硒化法

C.分子束外延法

D.微粒沉积法

A.气相法

B.固相法

C.液相法

D.化学气相沉积法