题目内容
（请给出正确答案）
A.发光二极管在外加正向电压时能发光
B.二极管的电阻是一个常数
C.二极管两端的电压和电流关系不符合欧姆定律
D.二极管具有单向导电性
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关于二极管在电路中的作用，以下说法正确的是：
A.二极管是一种电流控制电流的半导体器件，有PNP型和NPN型
B.二极管具有单向导电性，正向电压下，导通电阻很小；反向电压下，导通电阻极大
C.二极管在电路中的主要作用是放大和开关
D.二极管也成为双极性晶体管
A.快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管
B.肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管
C.快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。
D.肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间很短,而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合
A.当输人信号ui处在正半周时，二极管D1和D2通，D3和D4
B. 当输入信号ui处在负半周时，二极管D3和D4通，D1和D3
C.该电路输出为交流电
D. 该电路输出为直流电
A.二极管的雪崩击穿发生在掺杂浓度较大的PN结
B.二极管的齐纳击穿发生在掺杂浓度较小的PN结
C.二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于热击穿
D.二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
A.半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B.半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C.常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D.常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
A.点接触型二极管结电容很小,不能承受高的反向电压和大的电流。适于做高频检波和脉冲数字电路的开关元件,或用来做小电流整流。
B.面触型二极管结电容很小,不能承受高的反向电压和大的电流。适于做高频检波和脉冲数字电路的开关元件,或用来做小电流整流。
C.二极管的反向电流IR要比理想PN结的反向饱和电流IS大得多,IR愈小,表明二极管的单向导电性愈好。
D.二极管的反向电流IR要比理想PN结的反向饱和电流IS小得多,IR愈小,表明二极管的单向导电性愈好。
A.驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件
B.主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C.通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管
D.高耐压的同时也具有很小的通态压降
E.可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F.关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长
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