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提问人：网友陈银桑发布时间：2022-01-07

[单选题]

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为（）。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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ABCD

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第1题

晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。

A.高；低

B.高；高

C.低；低

D.低；高

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第2题

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低

B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D.集电区面积大于发射区面积

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第3题

有关NPN型三极管内部结构特点，说法正确的是。

A.发射区的掺杂浓度比基区要低

B.集电结面积可大可小，对三极管无影响

C.发射区掺杂浓度可大可小，对三极管无影响

D.发射区、基区、集电区中，发射区掺杂浓度要最高

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第4题

三极管内部结构具有（）的特点。

A.集电区掺杂浓度较大

B. 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

C. 基区非常薄

D. 集电结的面积比发射结的面积大

E. 集电区掺杂浓度较小

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第5题

下列有关晶体管的说法中，正确的是。

A.发射区的掺杂浓度小于集电区

B.基区很薄，掺杂浓度较大

C.基区与集电区的接触面积较大

D.发射极与集电极可以互换

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第6题

在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是（）区

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.以上都不是

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第7题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第8题

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（)

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()

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第9题

【单选题】BJT的内部结构特点如下:（)

A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;

B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;

C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;

D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。

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第10题

制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。

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