一般把禁带宽度大于或等于()的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。
A.1eV
B.0.5eV
C.2.3eV
D.5eV
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- · 有2位网友选择 A,占比22.22%
- · 有2位网友选择 B,占比22.22%
- · 有1位网友选择 C,占比11.11%
A.1eV
B.0.5eV
C.2.3eV
D.5eV
A.集成门极换流晶闸管简称为IGCT。
B.金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
C.绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
D.半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
A.A为p型宽禁带半导体,B为n型窄禁带半导体
B.A为p型窄禁带半导体,B为n型宽禁带半导体
C.A为n型宽禁带半导体,B为p型窄禁带半导体
D.A为n型窄禁带半导体,B为p型宽禁带半导体
A.宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力
B.宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力
C.宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度
D.宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
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