MOS管的功耗要小于三极管的功耗

A.速度快

B.功耗小

C.集成度高

D.功耗大

A.电容充放电过程中的动态功耗

B.电源与地间的直流通路引起的短路功耗

C.MOS管漏电的静态功耗

D.热电子运动

A.速度快，集成度低，位功耗高

B.速度快，集成度高，位功耗高

C.速度快，集成度低，位功耗低

D.速度慢，集成度高，位功耗底

A.二极管

B.双极型三极管

C.ＭＯＳ管

D.都不是

和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。

A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少

B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大

C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大

和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是()。

A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大

B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小

C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小

D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大