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提问人:网友hyyunbin 发布时间:2022-01-07
[单选题]

关于二极管连接的MOS器件的说法正确的有()

A.所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接,起到小信号电阻的作用

B.将MOS管作二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区

C.二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关,与偏置电流无关,即输入与输出呈线性

D.二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管的过驱动电压之比,增益AV越大,最大输出电压Voutmax越小

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匿名网友[190.***.***.224]选择了 D
1天前
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1天前
匿名网友[24.***.***.103]选择了 D
1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
匿名网友[222.***.***.247]选择了 C
1天前
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更多“关于二极管连接的MOS器件的说法正确的有()”相关的问题
第1题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。
A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

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第2题
目前光电检波管通常有( )和( )。

A、PIN光电二极管

B、PN管

C、发光二级管

D、雪崩光电二极管APD

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第3题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。
A、NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B、当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C、当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D、管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第4题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第5题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第6题
二极管、三极管以及MOS管都不是具有开关特性的半导体元件。
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第7题
MOS器件绝缘层中的可动电荷是( )

A、电子

B、空穴

C、钠离子

D、硅离子

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第8题
当ENODEB和M2000之间的操作维护通道没有建立时,可以用LMT近端登陆ENODEB。
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第9题
下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅()。

A、减少衬底掺杂浓度

B、减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度

C、减少氧化层厚度

D、降低器件工作温度

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第10题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是()。
A、如果考虑寄生电容,相比理想情况,最高振荡频率会降低

B、理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件沟道长度成正比

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