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提问人：网友ysh_19850701 发布时间：2022-01-07
[单选题]

MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）

A.电子；

B.空穴；

C.钠离子；

D.硅离子。

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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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更多“MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）”相关的问题
第1题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第2题
下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅()。

A、减少衬底掺杂浓度

B、减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度

C、减少氧化层厚度

D、降低器件工作温度

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第3题
下面哪种方式是不能够抑制MOS器件的GIDL电流()。
A、减少栅极氧化层厚度

B、减少硅表面缺陷密度

C、减少漏极电压

D、减少漏极掺杂浓度

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第4题
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。

A. 光刻技术

B. 转移电荷

C. 光电效应

D. 光电转化

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第5题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大

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第6题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A、正，电离施主杂质

B、正，电离施主杂质和空穴

C、负，电离受主杂质

D、负，电离受主杂质和电子

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第7题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。
A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

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第8题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是()。
A、如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低

B、理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件沟道长度成正比

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第9题
以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。
A、氧化层正电荷控制不当

B、衬底材料掺杂浓度选择不妥

C、源漏材料掺杂浓度选择不妥

D、以上都是形成的原因

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