n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时,以下说法错误的是()。
A.可调电阻区的电压范围为VDS<vgs-vth>
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
D.VGS越大,沟道电阻越大
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A.可调电阻区的电压范围为VDS<vgs-vth>
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性,电流IDS与VDS基本上是线性关系
D.VGS越大,沟道电阻越大
A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
A、此时满足条件VDS>VGS-VTH
B、沟道夹断点从源端向漏端移动
C、沟道夹断点电压为VGS-VTH
D、沟道夹断区为耗尽区
A、VDS增加,出现夹断点,沟道长度减小,导致漏-源饱和电流增加
B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜,输出阻抗降低
C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时,被耗尽区电场扫进漏区,增益变小
D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大
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