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提问人：网友johnnyrzl
发布时间：2022-01-06
[主观题]
半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
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A.载流子迁移率
B.禁带宽度
C.位错密度
D.非平衡载流子寿命
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第6题
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的n型硅半导体样品，空穴寿命![【习题5-16】在电阻率为[图]的n型硅半导体样品，空穴寿命...【习题5-16】在电阻率为的n型硅](http://static.jiandati.com/f7a54f0-chaoxing2016-963316.png)
，在其平面形成的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度![【习题5-16】在电阻率为[图]的n型硅半导体样品，空穴寿命...【习题5-16】在电阻率为的n型硅](http://static.jiandati.com/cc190a1-chaoxing2016-963317.png)
。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩载流子浓度等于![【习题5-16】在电阻率为[图]的n型硅半导体样品，空穴寿命...【习题5-16】在电阻率为的n型硅](http://static.jiandati.com/f5e1ce3-chaoxing2016-963318.png)
？
第7题
有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是1022cm-3·s-1 ，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是1022cm-3·s-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
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第8题
关于霍尔器件说法，以下说法正确的是（）。
A.由于导体的载流子浓度较高、电导率大，所以霍尔器件一般由导体材料制成。
B.霍尔器件一般由P型半导体材料制成。
C.由于不良导体电阻率高，所以霍尔器件一般由绝缘材料制成。
D.霍尔器件一般由N型半导体材料制成。
