半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

A.由于导体的载流子浓度较高、电导率大，所以霍尔器件一般由导体材料制成。

B.霍尔器件一般由P型半导体材料制成。

C.由于不良导体电阻率高，所以霍尔器件一般由绝缘材料制成。

D.霍尔器件一般由N型半导体材料制成。

A.载流子迁移率

B.禁带宽度

C.位错密度

D.非平衡载流子寿命

A.载流子迁移率

B.非平衡载流子寿命

C.禁带宽度

D.电阻率

E.位错密度

A.位错密度

B.电阻率

C.非平衡载流子寿命

D.禁带宽度

E.载流子迁移率

【习题5-16】在电阻率为的n型硅半导体样品，空穴寿命，在其平面形成的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩载流子浓度等于？

A.金属材料

B.绝缘材料

C.半导体材料

D.陶瓷材料