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提问人:网友xuliang_1004
发布时间:2022-01-06
[单选题]
本征半导体温度升高后,两种载流子浓度()。
A.仍然相等
B.不相等
C.随机态
D.自由电子数量大于空穴数量
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A.仍然相等
B.不相等
C.随机态
D.自由电子数量大于空穴数量
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关,空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
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