下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是()
A.当时,NMOS器件工作在截止区
B.当,并且NMOS器件工作在线性区
C.当,时,NMOS器件工作在饱和区
D.当时,且时,NMOS器件工作在深线性区
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- · 有2位网友选择 B,占比22.22%
- · 有2位网友选择 C,占比22.22%
A.当时,NMOS器件工作在截止区
B.当,并且NMOS器件工作在线性区
C.当,时,NMOS器件工作在饱和区
D.当时,且时,NMOS器件工作在深线性区
A.当VGS > VTH,并且0 < VDS < VGS-VTH时,NMOS器件工作在线性区
B.当VGS < VTH时,NMOS器件工作在截止区
C.当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件工作在饱和区
D.当当VGS < VTH时,且0 < VDS < VGS-VTH时,NMOS器件工作在深线性区
A.工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源
B.工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源
C.当MOS器件的沟道被夹断时,MOS器件截止
D.当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件的沟道被夹断
A、NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
B、在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C、当时,NMOS器件导通
D、若,则 NMOS器件关断
A.NMOS器件包括栅(G),源(S),漏(D)等端口。
B.NMOS器件的源漏对称
C.NMOS器件作为开关使用时,栅极接高电平,则源-漏端导通
D.NMOS器件作为开关使用时,栅极接低电平,则源-漏端断开
A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管
B.增强型NMOS工作管和耗尽型PMOS工作管
C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管
D.耗尽型PMOS管和增强型NMOS管
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