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提问人:网友xkgo51 发布时间:2022-01-07
[单选题]

如某产品厚为12mm,试片正硫化条件为142℃◊l0min,在此温度下硫化时间为()min。 A 10 B 12 C 14 D16

A.D

B.16

C.约16

D.大约16分钟

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1天前
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1天前
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第1题

若已知次梁的计算跨度l0=6m,间距为2.4m,净距sn=2.2m,则翼缘的计算宽度bf′最接近于()mm。

A. 1800

B. 2000

C. 2200

D. 2400

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第2题
Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有:⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低,因此被用作( )的掩蔽膜。

A、⑴

B、⑵

C、⑶

D、⑴⑵

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第3题
摩尔定律是简单评估半导体技术进展的经验法则。( )
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第4题
CVD反应器的冷壁反应器只加热硅片和硅片支持物。
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第5题
下面属于物理气相淀积方法的是( )

A、真空蒸发

B、溅射

C、扩散

D、刻蚀

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第6题
溅射率也称溅射产额,表示正离子轰击作为阴极材料的靶材时,平均每个正离子能从靶材上打出的原子数目。
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第7题
等离子体是一种由正离子、电子、光子以及原子、原子团、分子和它们的激发态所组成的混合气体,宏观上呈现电中性的物质存在形态。
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第8题
由电子离子原子分子或者自由基等粒子组合的集合体是 ( )

A、等离子体

B、分子体

C、电子体

D、原子体

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第9题
下列属于单晶硅材料制造技术的是( )

A、还原法

B、CZ法

C、氧化法

D、热蒸发

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第10题
通常情况下不会对硅产生化学腐蚀的溶液是 ( )

A、HF

B、KOH

C、NH4OH

D、HF 、HNO3混合液

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