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提问人:网友exnupt 发布时间:2022-01-07
[单选题]

在MOS缩微中,下列参数()最易按缩微因子成比例改变。

A.漏结扩散势

B.阈值电压

C.ION

D.IOFF

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第3题
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B、理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

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A、采用应力工程,提高载流子迁移率

B、提高跨导

C、增加沟道长度

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第8题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第9题
理想MOS结构的平带电容对应的是栅压为0时的MOS电容
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第10题
衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______

A、源区

B、沟道区靠近源区一侧

C、沟道区靠近漏区一侧

D、漏区

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