由某金属和n-Si(ND=5x10^16cm-3)组成的Schottky二极管的J-V特性如图所示,已知理查逊常数A*=252(A/cm2k2),Nc=10^19cm-3,χ(Si) = 4.0 eV,在J = 4.72 A/cm2时半导体需要施加的偏压为()
A.0.4V
B.0.5V
C.0.6V
D.0.7V
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A.0.4V
B.0.5V
C.0.6V
D.0.7V
A、In (Wm=3.8eV)
B、Cr (Wm=4.6eV)
C、Au (Wm=4.8eV)
D、Al (Wm=4.3eV)
A、半导体的多子流向金属形成,方向从金属指向半导体
B、半导体的多子流向金属形成,方向从半导体指向金属
C、半导体的少子流向金属形成,方向从金属指向半导体
D、半导体的少子流向金属形成,方向从半导体指向金属
A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程
B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程
C、势垒区宽度等于电子的平均自由程
D、不确定
A、选择适当的金属,形成阻挡层
B、选择适当的金属,形成反阻挡层
C、半导体表面高掺杂,利用隧道效应原理制备欧姆接触
D、半导体表面通过磨砂处理,形成大量的复合中心
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