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提问人:网友yihui8611 发布时间:2022-01-07
[单选题]

由某金属和n-Si(ND=5x10^16cm-3)组成的Schottky二极管的J-V特性如图所示,已知理查逊常数A*=252(A/cm2k2),Nc=10^19cm-3,χ(Si) = 4.0 eV,在J = 4.72 A/cm2时半导体需要施加的偏压为()由某金属和n-Si(ND=5x10^16cm-3)组成的Schottky二极管的J-V特性如图所示,

A.0.4V

B.0.5V

C.0.6V

D.0.7V

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第1题
某碳素钢的化验结果有下列元素:①S;②Mn;③C;④P;⑤O;⑥N;⑦Si;⑧Fe。下列(  )全是有害元素。

A.①②③④  B.③④⑤⑥  C.①④⑤⑥  D.①④⑤⑦

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第2题
在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底(功函数约为 4.25eV )上要做出欧姆接触,下面四种金属最适 合的是 ( A 在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底(功函数约为 4.25eV )上要做出欧姆接触,下面四种金属最适 合的是 ( A 在磷掺杂浓度为2e16 cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()

A、In (Wm=3.8eV)

B、Cr (Wm=4.6eV)

C、Au (Wm=4.8eV)

D、Al (Wm=4.3eV)

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第3题
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正压于金属,随电压增加,空间电荷区宽度将( )

A、不变

B、增加

C、减小

D、不能确定

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第4题
N型半导体形成的肖特基势垒二极管,其正向电流是( )。

A、半导体的多子流向金属形成,方向从金属指向半导体

B、半导体的多子流向金属形成,方向从半导体指向金属

C、半导体的少子流向金属形成,方向从金属指向半导体

D、半导体的少子流向金属形成,方向从半导体指向金属

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第5题
隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随( )的增加而增大

A、正偏电压的增加而增大

B、反偏电压绝对值的增加而增大

C、正偏电压的增加而减小

D、反偏电压绝对值的增加而减小

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第6题
金属与N型半导体形成的整流接触,扩散理论适用于( )半导体

A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程

B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程

C、势垒区宽度等于电子的平均自由程

D、不确定

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第7题
金属与N型半导体形成的整流接触,热电子发射理论适用于( )半导体

A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程

B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程

C、势垒区宽度等于电子的平均自由程

D、不确定

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第8题
欧姆接触有哪些实现的方式()

A、选择适当的金属,形成阻挡层

B、选择适当的金属,形成反阻挡层

C、半导体表面高掺杂,利用隧道效应原理制备欧姆接触

D、半导体表面通过磨砂处理,形成大量的复合中心

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第9题
硅肖特基二极管的特点()

A、多子和少子同时参与导电

B、开关速度快

C、反向泄漏电流较PN结二极管大

D、不存在少子存储效应

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