以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是()。
A.热氧化后用氢氟酸腐蚀掉1000~2000Å的一层SiO2
B.用磷处理减少钠离子玷污的影响,因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用
C.采用“无钠”清洁工艺
D.用LPCVD生长氮化硅作表面钝化
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A.热氧化后用氢氟酸腐蚀掉1000~2000Å的一层SiO2
B.用磷处理减少钠离子玷污的影响,因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用
C.采用“无钠”清洁工艺
D.用LPCVD生长氮化硅作表面钝化
B、用磷处理减少钠离子玷污的影响,因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用
C、采用“无钠”清洁工艺
D、用LPCVD生长氮化硅作表面钝化
B、靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C、靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D、靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
A.两个未接触的电荷发生了相互作用,一定是电场引起的
B.只有电荷发生相互作用时才产生电场
C.只要有电荷存在,其周围就存在电场
D.甲电荷受到乙电荷的作用,是乙电荷的电场对甲电荷的作用
B、在氧化还原反应中,失去电子的物质发生了还原反应
C、氧化还原反应中得失电荷数相同
D、氧化剂被还原,发生还原反应
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