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提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07
[单选题]

以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是（)。

A.热氧化后用氢氟酸腐蚀掉1000~2000Å的一层SiO2

B.用磷处理减少钠离子玷污的影响，因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用

C.采用“无钠”清洁工艺

D.用LPCVD生长氮化硅作表面钝化

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1天前
匿名网友[86.***.***.190]选择了 B
1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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1天前
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更多“以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是()。”相关的问题
第1题
以下关于减少Si-SiO2氧化层中的可动电荷的措施中错误的是（）。

A.热氧化后用氢氟酸腐蚀掉1000~2000Å的一层SiO2

B.用磷处理减少钠离子玷污的影响，因磷硅玻璃有“提取”及“阻挡”钠离子的作用

C.采用“无钠”清洁工艺

D.用LPCVD生长氮化硅作表面钝化

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第2题
对MIS电容有明显影响的是

A.界面陷阱电荷 Qit

B.氧化层中固定电荷 Qf

C.氧化层中可动电荷 Qm

D.氧化层中陷阱电荷 Qot

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第3题
B-T实验主要是用来测量

A.界面陷阱电荷 Qit

B.氧化层中固定电荷 Qf

C.氧化层中可动电荷 Qm

D.氧化层中陷阱电荷 Qot

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第4题
题3-3-4 集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.离子氧化

D.水蒸汽氧化

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第5题
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是（）。

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

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第6题
（2）光导体结构中，最薄的一层为（）。

A.吸附层（氧化层）

B.电荷传导层

C.铝或铝合金

D.电荷产生层

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第7题
在M0S结构的氧化层中存在着1.5×1012cm-3的正电荷，氧化层的厚度为150nm．计算这种电荷在下列几种情况下的平带

在M0S结构的氧化层中存在着1.5×1012cm-3的正电荷，氧化层的厚度为150nm．计算这种电荷在下列几种情况下的平带电压：

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第8题
在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了 μm。
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第9题
下列关于减缓冲刷腐蚀的措施描述错误的是()

A.降低介质流速

B.减小管道直径

C.增大弯头角度

D.减少介质中杂质

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第10题
以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（）。

A.固定正电荷

B.Si-SiO2界面态

C.可动电荷

D.电离陷阱

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