影响MOSFET阈值电压的因素有()。
A.栅氧化层厚度
B.沟道宽度
C.衬底掺杂浓度
D.氧化层固定电荷
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- · 有2位网友选择 B,占比18.18%
- · 有2位网友选择 D,占比18.18%
- · 有1位网友选择 A,占比9.09%
A.栅氧化层厚度
B.沟道宽度
C.衬底掺杂浓度
D.氧化层固定电荷
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。
A、增加沟道长度
B、减小栅氧化层厚度
C、减小沟道宽度
D、提高阈值电压
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅:( )。
A、减小沟道长度
B、增加栅氧化层厚度
C、增加沟道宽度
D、降低衬底掺杂浓度
MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大,是由于什么原因引起的:( )。
A、基区宽度调变效应
B、漏区静电场对沟道的反馈
C、有效沟道调制效应
D、阈电压的短沟道效应
以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通:( )。
A、减小沟道长度
B、增加衬底掺杂浓度
C、增加栅氧化层厚度
D、增加沟道宽度
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