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提问人：网友zgd3228414 发布时间：2022-01-06

[主观题]

什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

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第1题

简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽...

简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？

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第2题

如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

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第3题

什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

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第4题

双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是（)接法。

A.共基极

B.共源极

C.共漏极

D.共栅极

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第5题

电磁炉的门控管全称为（）。

A.功率三极管

B. 功率二极管

C. 功率效应管

D. 绝缘栅双极晶体管

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第6题

下面哪种器件属于常用的三端器件？它具有栅极G、集电极C和发射极E，它综合了GTR和Power－MOSFET的优点。（)

A.绝缘栅双极晶体管

B.门极可关断晶闸管

C.静电感应晶体管

D.集成门极换流晶闸管

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第7题

构成反馈通路的元器件是()。

A.只能是电阻元件

B.只能是三级管、集成运放等有源器件

C.只能是无源器件

D.可以是无源器件，也可以是有源器件

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第8题

构成反馈通路的元器件

A.只能是电阻元件

B.只能是三极管、集成运放等有源器件

C.只能是无源器件

D.可以是无源器件，也可以是有源器件

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第9题

请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

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第10题

为了实现电路设计的微型化，集成电路设计中应尽量避免使用参数很大的无源器件。

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