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提问人:网友netgates
发布时间:2022-01-06
[主观题]
简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽...
简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?
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简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?
A.调频广播
B.中短波广播
C.中波广播
D.超短波广播
A.绝缘栅双极晶体管
B.门极可关断晶闸管
C.静电感应晶体管
D.集成门极换流晶闸管
A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立
B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算
C.MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数
D.MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
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