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提问人：网友azhehack
发布时间：2022-01-07
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如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
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第2题
下列关于MOS模型的说法正确的有（）
A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
C.MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
D.MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
第6题
地铁电动列车下列描述正确的是：A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件，每辆动车有2个VVVF单元，每个单元控
地铁电动列车下列描述正确的是：
A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件，每辆动车有2个VVVF单元，每个单元控制2台180kW电机
B.列车具有电阻制动和再生制动功能，但当一辆动车中的一个VVVF逆变器单元故障时，该车仍具有电制动功能
C.IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件
D.VVVF装置位于拖车，每车1台
第9题
下列哪些不属于计算MOS管最高振荡频率的非理想因素（）。
A.小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
第10题
下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（）。
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
