题目内容
（请给出正确答案）
A.发射区过高掺杂会使发射区迁移率降低
B.发射区过高掺杂会使发射区禁带宽度减小
C.发射区过高掺杂易发生基区大注入效应
D.发射区过高掺杂易诱发基区穿通
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A.发射区掺杂浓度高，集电结面积大
B.发射区掺杂浓度高，集电结面积小
C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小
D.发射区掺杂浓度低，集电结面积大
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，
增大
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，
增大，发射效率提高
C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D、考虑发射效率公式，放大系数减小
A.发射区的掺杂浓度比基区要低
B.集电结面积可大可小，对三极管无影响
C.发射区掺杂浓度可大可小，对三极管无影响
D.发射区、基区、集电区中，发射区掺杂浓度要最高
A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;
B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;
C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;
D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。
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