题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友aaihmy
发布时间:2022-01-07
[单选题]
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:()。
A.增加沟道长度
B.减小栅氧化层厚度
C.减小沟道宽度
D.提高阈值电压
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