题目内容
（请给出正确答案）
A.PMOS，NMOS，衬底和源端
B.PMOS，NMOS，衬底和漏端
C.NMOS，PMOS，衬底和源端
D.NMOS，PMOS，衬底和漏端
参考答案
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
网友提供的答案
更多“CMOS负载管为___，倒相管为___，两个管各自的______短接。（）”相关的问题
B、两个管子的跨导均可以做得较大，使导通时等效电阻小
C、在导通和截止态转变过程中，瞬态电流会增大，一定会产生很大的总功耗
D、开关时间短，可以迅速完成状态转换
A. 200mg
B. 400mg
C. 600mg
D. 800mg
E. 1000mg
A、可调电阻区的电压范围为VDS<vgs-vth>
B、近漏处比近源处的沟道厚度要小
C、此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系
D、VGS越大，沟道电阻越大
A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B、若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加，阈值电压增加
A、此时满足条件VDS>VGS-VTH
B、沟道夹断点从源端向漏端移动
C、沟道夹断点电压为VGS-VTH
D、沟道夹断区为耗尽区
A、VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
