以下会使DIBL效应最明显的条件是()。
A.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越大
B.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越小
C.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越大
D.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越小
- · 有6位网友选择 A,占比75%
- · 有1位网友选择 C,占比12.5%
- · 有1位网友选择 B,占比12.5%
A.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越大
B.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越小
C.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越大
D.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越小
A.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越大
B.沟道长度越长,衬底掺杂浓度越小
C.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越大
D.沟道长度越短,衬底掺杂浓度越小
A、具有较小的输入电阻
B、开启电压随温度升高而升高
C、沟道长度越小,沟道长度调制效应越严重
D、衬底和源极相连或接在电路的最高电位
某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接,其参数如下:Tox=10nm,衬底掺杂浓度为,氧化层电荷面密度为,金属栅和衬底的功函数差为-0.3V,空穴迁移率为,电子迁移率为(1)该MOSFET的衬底费米势为多少? (2)该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少? (3)写出该MOSFET的阈值电压公式,并计算阈值电压?
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!